NTZD3152PT1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.619116 | ￥6.62 |
| 10 | ￥5.009763 | ￥50.10 |
| 100 | ￥3.12007 | ￥312.01 |
| 500 | ￥2.134212 | ￥1067.11 |
| 1000 | ￥1.641801 | ￥1641.80 |
| 2000 | ￥1.47762 | ￥2955.24 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 430 mA
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 19 ns
正向跨导（Min） 1 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
NTZD3152PT1G 同类别型号
注
NTZD3152PT1G
型号：NTZD3152PT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.619116 |
| 10+： | ￥5.009763 |
| 100+： | ￥3.12007 |
| 500+： | ￥2.134212 |
| 1000+： | ￥1.641801 |
| 2000+： | ￥1.47762 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.62