货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.167937 | ¥8.17 |
10 | ¥7.17358 | ¥71.74 |
100 | ¥5.503295 | ¥550.33 |
500 | ¥4.350314 | ¥2175.16 |
1000 | ¥3.480251 | ¥3480.25 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.3 A, 6 A
漏源电阻 47 mOhms, 89 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6 nC, 7.8 nC
耗散功率 2.78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns, 7.7 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 12 ns, 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns, 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4532CDY-GE3
单位重量 750 mg
购物车
0SI4532CDY-T1-GE3
型号:SI4532CDY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.167937 |
10+: | ¥7.17358 |
100+: | ¥5.503295 |
500+: | ¥4.350314 |
1000+: | ¥3.480251 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.17