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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 79 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 139 nC
耗散功率 312.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 73 ns
正向跨导(Min) 28.8 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 105 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCH35N60
型号:FCH35N60
品牌:ON
供货:锐单
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