货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥149.878526 | ¥149.88 |
10 | ¥137.79434 | ¥1377.94 |
100 | ¥116.375177 | ¥11637.52 |
制造商 IXYS
商标名 HyperFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 63 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH13N80
型号:IXFH13N80
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥149.878526 |
10+: | ¥137.79434 |
100+: | ¥116.375177 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥149.88