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SI4214DDY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4214DDY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 1.809962 4524.90
5000 1.714674 8573.37
12500 1.587695 19846.19
25000 1.571958 39298.95

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8.5 A

漏源电阻 19.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 14.5 nC

耗散功率 3.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns

正向跨导(Min) 27 S

上升时间 10 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 15 ns

典型接通延迟时间 7 ns

外形参数

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4920DY-T1-E3-S

单位重量 187 mg

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SI4214DDY-T1-GE3

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型号:SI4214DDY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥1.809962
5000+: ¥1.714674
12500+: ¥1.587695
25000+: ¥1.571958

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