货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.809962 | ¥4524.90 |
5000 | ¥1.714674 | ¥8573.37 |
12500 | ¥1.587695 | ¥19846.19 |
25000 | ¥1.571958 | ¥39298.95 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 19.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4920DY-T1-E3-S
单位重量 187 mg
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0SI4214DDY-T1-GE3
型号:SI4214DDY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.809962 |
5000+: | ¥1.714674 |
12500+: | ¥1.587695 |
25000+: | ¥1.571958 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00