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IPB65R110CFDATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPB65R110CFDATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
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规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 31.2 A

漏源电阻 99 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 118 nC

耗散功率 277.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 6 ns

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 68 ns

典型接通延迟时间 16 ns

外形参数

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB65R110CFD SP000896400

单位重量 4 g

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IPB65R110CFDATMA1

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型号:IPB65R110CFDATMA1

品牌:INFINEON

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