
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.320477 | ¥36.32 |
| 30 | ¥28.975781 | ¥869.27 |
| 120 | ¥25.925981 | ¥3111.12 |
| 510 | ¥22.875769 | ¥11666.64 |
| 1020 | ¥20.588168 | ¥20999.93 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
耗散功率 390 W
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
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0IXTH24N65X2
型号:IXTH24N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.320477 |
| 30+: | ¥28.975781 |
| 120+: | ¥25.925981 |
| 510+: | ¥22.875769 |
| 1020+: | ¥20.588168 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.32