
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥88.00887 | ¥88.01 |
| 30 | ¥70.211792 | ¥2106.35 |
| 120 | ¥62.821762 | ¥7538.61 |
| 510 | ¥55.43073 | ¥28269.67 |
| 1020 | ¥49.8876 | ¥50885.35 |
| 2010 | ¥46.746713 | ¥93960.89 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 185 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 X2-Class
单位重量 6 g
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0IXTH20N65X2
型号:IXTH20N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥88.00887 |
| 30+: | ¥70.211792 |
| 120+: | ¥62.821762 |
| 510+: | ¥55.43073 |
| 1020+: | ¥49.8876 |
| 2010+: | ¥46.746713 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥88.01