STL42N65M5
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- 制造商编号：
- STL42N65M5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV
- 渠道：
- digikey
库存 ：2928
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥186.864228 | ￥186.86 |
| 10 | ￥171.705416 | ￥1717.05 |
| 25 | ￥164.593526 | ￥4114.84 |
| 100 | ￥142.351158 | ￥14235.12 |
| 250 | ￥137.902684 | ￥34475.67 |
| 500 | ￥129.005736 | ￥64502.87 |
| 1000 | ￥118.3294 | ￥118329.40 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL42N65M5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ V
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Ta), 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
79mOhm @ 16.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4650pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 208W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (8x8) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL42N65M5 同类别型号
注
STL42N65M5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STL42N65M5
数据手册PDF。
STL42N65M5
型号：STL42N65M5
品牌：ST
供货：锐单
库存：2928 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥186.864228 |
| 10+： | ￥171.705416 |
| 25+： | ￥164.593526 |
| 100+： | ￥142.351158 |
| 250+： | ￥137.902684 |
| 500+： | ￥129.005736 |
| 1000+： | ￥118.3294 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥186.86