
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.97378 | ¥8.97 |
| 10 | ¥7.714557 | ¥77.15 |
| 100 | ¥5.359662 | ¥535.97 |
| 500 | ¥4.184388 | ¥2092.19 |
| 1000 | ¥3.401063 | ¥3401.06 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.3 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
购物车
0RTR025N03HZGTL
型号:RTR025N03HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.97378 |
| 10+: | ¥7.714557 |
| 100+: | ¥5.359662 |
| 500+: | ¥4.184388 |
| 1000+: | ¥3.401063 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.97