货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.826593 | ¥7.83 |
10 | ¥6.728346 | ¥67.28 |
100 | ¥4.674496 | ¥467.45 |
500 | ¥3.649465 | ¥1824.73 |
1000 | ¥2.96628 | ¥2966.28 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.3 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 2 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RTR025N03HZGTL
型号:RTR025N03HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.826593 |
10+: | ¥6.728346 |
100+: | ¥4.674496 |
500+: | ¥3.649465 |
1000+: | ¥2.96628 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.83