BSD235CH6327XTSA1

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 950 mA, 530 mA

漏源电阻 266 mOhms, 745 Ohms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 700 mV, 1.2 V

栅极电荷 340 mC, 400 fC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.2 ns, 3.2 ns

正向跨导（Min） 700 mS, 2 S

上升时间 3.6 ns, 5 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 4.5 ns, 5.1 ns

典型接通延迟时间 3.8 ns, 3.8 ns

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSD235C H6327 SP000917610

单位重量 7.500 mg