
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥53.701757 | ¥53.70 |
| 10 | ¥48.507565 | ¥485.08 |
| 100 | ¥40.158995 | ¥4015.90 |
| 500 | ¥34.969817 | ¥17484.91 |
| 1000 | ¥30.765187 | ¥30765.19 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 130 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 305 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 190 ns
典型接通延迟时间 40 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0R6030ENZ4C13
型号:R6030ENZ4C13
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥53.701757 |
| 10+: | ¥48.507565 |
| 100+: | ¥40.158995 |
| 500+: | ¥34.969817 |
| 1000+: | ¥30.765187 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥53.70