
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥27.67056 | ¥27.67 |
| 10 | ¥24.853092 | ¥248.53 |
| 100 | ¥20.363627 | ¥2036.36 |
| 500 | ¥17.335438 | ¥8667.72 |
| 1000 | ¥14.620194 | ¥14620.19 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 370 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4110PBF SP001570598
单位重量 2 g
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0IRFB4110PBF
型号:IRFB4110PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥27.67056 |
| 10+: | ¥24.853092 |
| 100+: | ¥20.363627 |
| 500+: | ¥17.335438 |
| 1000+: | ¥14.620194 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.67