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SCT2H12NYTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
SCT2H12NYTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:400

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
400 24.175523 9670.21
800 22.753423 18202.74
1200 19.482634 23379.16
2000 18.344966 36689.93

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.7 kV

漏极电流 4 A

漏源电阻 1.15 Ohms

栅极电压 - 6 V, + 22 V

栅源极阈值电压 1.6 V

栅极电荷 14 nC

耗散功率 44 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 74 ns

正向跨导(Min) 400 mS

上升时间 21 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 35 ns

典型接通延迟时间 16 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SCT2H12NY

单位重量 6.500 g

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SCT2H12NYTB

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型号:SCT2H12NYTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

400+: ¥24.175523
800+: ¥22.753423
1200+: ¥19.482634
2000+: ¥18.344966

货期:1-2天

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