
货期:国内(1~3工作日)
起订量:400
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 400 | ¥24.175523 | ¥9670.21 |
| 800 | ¥22.753423 | ¥18202.74 |
| 1200 | ¥19.482634 | ¥23379.16 |
| 2000 | ¥18.344966 | ¥36689.93 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.15 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 22 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 74 ns
正向跨导(Min) 400 mS
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT2H12NY
单位重量 6.500 g
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0SCT2H12NYTB
型号:SCT2H12NYTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 400+: | ¥24.175523 |
| 800+: | ¥22.753423 |
| 1200+: | ¥19.482634 |
| 2000+: | ¥18.344966 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00