NTD5865N-1G
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- 制造商编号：
- NTD5865N-1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.103912 | ￥1.10 |
| 25 | ￥1.001697 | ￥25.04 |
| 50 | ￥0.967626 | ￥48.38 |
| 100 | ￥0.926741 | ￥92.67 |
| 250 | ￥0.892669 | ￥223.17 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD5865N-1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
18mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1261pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
NTD5865N-1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
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NTD5865N-1G
型号：NTD5865N-1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.103912 |
| 25+： | ￥1.001697 |
| 50+： | ￥0.967626 |
| 100+： | ￥0.926741 |
| 250+： | ￥0.892669 |
货期：1-2天
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