货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥79.623992 | ¥79.62 |
10 | ¥66.864217 | ¥668.64 |
100 | ¥54.096965 | ¥5409.70 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.15 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 22 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 74 ns
正向跨导(Min) 400 mS
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SCT2H12NY
单位重量 6.500 g
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0SCT2H12NYTB
型号:SCT2H12NYTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥79.623992 |
10+: | ¥66.864217 |
100+: | ¥54.096965 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥79.62