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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.716786 | ¥2150.36 |
6000 | ¥0.687059 | ¥4122.35 |
9000 | ¥0.618316 | ¥5564.84 |
30000 | ¥0.609175 | ¥18275.25 |
75000 | ¥0.572536 | ¥42940.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 100 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.3 V
栅极电荷 9 nC, 7 nC
耗散功率 1.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 4 S, 6 S
上升时间 5 ns, 7.3 ns
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG6602SVTQ-7
型号:DMG6602SVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.716786 |
6000+: | ¥0.687059 |
9000+: | ¥0.618316 |
30000+: | ¥0.609175 |
75000+: | ¥0.572536 |
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