
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.276729 | ¥5.28 |
| 10 | ¥4.07877 | ¥40.79 |
| 100 | ¥2.450115 | ¥245.01 |
| 500 | ¥2.26871 | ¥1134.36 |
| 1000 | ¥1.54266 | ¥1542.66 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 100 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.3 V
栅极电荷 9 nC, 7 nC
耗散功率 1.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 4 S, 6 S
上升时间 5 ns, 7.3 ns
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMG6602SVTQ-7
型号:DMG6602SVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.276729 |
| 10+: | ¥4.07877 |
| 100+: | ¥2.450115 |
| 500+: | ¥2.26871 |
| 1000+: | ¥1.54266 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.28