货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.602166 | ¥4.60 |
10 | ¥3.55735 | ¥35.57 |
100 | ¥2.136898 | ¥213.69 |
500 | ¥1.978684 | ¥989.34 |
1000 | ¥1.34545 | ¥1345.45 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 100 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.3 V
栅极电荷 9 nC, 7 nC
耗散功率 1.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 4 S, 6 S
上升时间 5 ns, 7.3 ns
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG6602SVTQ-7
型号:DMG6602SVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.602166 |
10+: | ¥3.55735 |
100+: | ¥2.136898 |
500+: | ¥1.978684 |
1000+: | ¥1.34545 |
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单价:¥0.00总价:¥4.60