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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.389137 | ¥54.39 |
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 7 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19.3 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.8 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMZ120R350M1H SP001808378
单位重量 6 g
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0IMZ120R350M1HXKSA1
型号:IMZ120R350M1HXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.389137 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥54.39