货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥103.268232 | ¥103.27 |
10 | ¥88.471969 | ¥884.72 |
100 | ¥73.725367 | ¥7372.54 |
500 | ¥65.051855 | ¥32525.93 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 210 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 124 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 77 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB020N10N5LF SP001503854
单位重量 1.562 g
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0IPB020N10N5LFATMA1
型号:IPB020N10N5LFATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥103.268232 |
10+: | ¥88.471969 |
100+: | ¥73.725367 |
500+: | ¥65.051855 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥103.27