IXTT6N120
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- 制造商编号：
- IXTT6N120
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
- 渠道：
- digikey
库存 ：30
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥135.86262 | ￥135.86 |
| 10 | ￥122.758039 | ￥1227.58 |
| 25 | ￥117.043026 | ￥2926.08 |
| 100 | ￥97.058895 | ￥9705.89 |
| 250 | ￥91.349549 | ￥22837.39 |
| 500 | ￥85.640201 | ￥42820.10 |
| 1000 | ￥77.076181 | ￥77076.18 |
| 2500 | ￥74.221507 | ￥185553.77 |
| 5000 | ￥70.224965 | ￥351124.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTT6N120
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
包装
Tube
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.6Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1950pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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注
IXTT6N120品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IXTT6N120
数据手册PDF。
IXTT6N120
型号：IXTT6N120
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：30 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥135.86262 |
| 10+： | ￥122.758039 |
| 25+： | ￥117.043026 |
| 100+： | ￥97.058895 |
| 250+： | ￥91.349549 |
| 500+： | ￥85.640201 |
| 1000+： | ￥77.076181 |
| 2500+： | ￥74.221507 |
| 5000+： | ￥70.224965 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥135.86