IXTT6N120
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXTT6N120
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
- 渠道：
- digikey
库存 ：30
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥118.494268 | ￥118.49 |
| 10 | ￥107.064946 | ￥1070.65 |
| 25 | ￥102.080525 | ￥2552.01 |
| 100 | ￥84.651119 | ￥8465.11 |
| 250 | ￥79.671641 | ￥19917.91 |
| 500 | ￥74.692163 | ￥37346.08 |
| 1000 | ￥67.222946 | ￥67222.95 |
| 2500 | ￥64.733208 | ￥161833.02 |
| 5000 | ￥61.247574 | ￥306237.87 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTT6N120
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
包装
Tube
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.6Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1950pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
IXTT6N120 同类别型号
注
IXTT6N120品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IXTT6N120、查询IXTT6N120代理商；
IXTT6N120价格批发咨询客服；这里拥有
IXTT6N120中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IXTT6N120
替代型号
、IXTT6N120
数据手册PDF。
IXTT6N120
型号：IXTT6N120
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：30 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥118.494268 |
| 10+： | ￥107.064946 |
| 25+： | ￥102.080525 |
| 100+： | ￥84.651119 |
| 250+： | ￥79.671641 |
| 500+： | ￥74.692163 |
| 1000+： | ￥67.222946 |
| 2500+： | ￥64.733208 |
| 5000+： | ￥61.247574 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥118.49