货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.709933 | ¥12.71 |
10 | ¥10.354858 | ¥103.55 |
100 | ¥8.058348 | ¥805.83 |
500 | ¥6.830219 | ¥3415.11 |
1000 | ¥5.564086 | ¥5564.09 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR3410TRPBF SP001578202
单位重量 330 mg
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0IRFR3410TRPBF
型号:IRFR3410TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.709933 |
10+: | ¥10.354858 |
100+: | ¥8.058348 |
500+: | ¥6.830219 |
1000+: | ¥5.564086 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.71