
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥75.561914 | ¥75.56 |
| 10 | ¥69.462067 | ¥694.62 |
| 100 | ¥58.664948 | ¥5866.49 |
| 500 | ¥52.18634 | ¥26093.17 |
| 1000 | ¥47.867492 | ¥47867.49 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 198 nC
耗散功率 714 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 45 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
单位重量 10 g
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0IXFK170N10P
型号:IXFK170N10P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥75.561914 |
| 10+: | ¥69.462067 |
| 100+: | ¥58.664948 |
| 500+: | ¥52.18634 |
| 1000+: | ¥47.867492 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥75.56