DMT69M8LSS-13
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- 制造商编号：
- DMT69M8LSS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.137285 | ￥2.14 |
| 10 | ￥1.581004 | ￥15.81 |
| 30 | ￥1.47896 | ￥44.37 |
| 100 | ￥1.376753 | ￥137.68 |
| 500 | ￥1.331345 | ￥665.67 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMT69M8LSS-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 13.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
33.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1925pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
DMT69M8LSS-13 同类别型号
注
DMT69M8LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT69M8LSS-13
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。
DMT69M8LSS-13
型号：DMT69M8LSS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.137285 |
| 10+： | ￥1.581004 |
| 30+： | ￥1.47896 |
| 100+： | ￥1.376753 |
| 500+： | ￥1.331345 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.14