
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.848754 | ¥36.85 |
| 30 | ¥29.433854 | ¥883.02 |
| 120 | ¥26.335675 | ¥3160.28 |
| 510 | ¥23.23726 | ¥11851.00 |
| 1020 | ¥20.913551 | ¥21331.82 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 20.3 mm
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench Gate Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTQ50N25T
型号:IXTQ50N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.848754 |
| 30+: | ¥29.433854 |
| 120+: | ¥26.335675 |
| 510+: | ¥23.23726 |
| 1020+: | ¥20.913551 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.85