货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥45.066328 | ¥45.07 |
30 | ¥35.997845 | ¥1079.94 |
120 | ¥32.208746 | ¥3865.05 |
510 | ¥28.419359 | ¥14493.87 |
1020 | ¥25.577445 | ¥26088.99 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 20.3 mm
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench Gate Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTQ50N25T
型号:IXTQ50N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥45.066328 |
30+: | ¥35.997845 |
120+: | ¥32.208746 |
510+: | ¥28.419359 |
1020+: | ¥25.577445 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.07