
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥278.242111 | ¥278.24 |
| 10 | ¥256.637262 | ¥2566.37 |
| 25 | ¥245.102398 | ¥6127.56 |
| 100 | ¥216.268073 | ¥21626.81 |
| 250 | ¥201.8502 | ¥50462.55 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 87 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 394 nC
耗散功率 625 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 267 ns
上升时间 152 ns
典型关闭延迟时间 323 ns
典型接通延迟时间 85 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0SIHS90N65E-E3
型号:SIHS90N65E-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥278.242111 |
| 10+: | ¥256.637262 |
| 25+: | ¥245.102398 |
| 100+: | ¥216.268073 |
| 250+: | ¥201.8502 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥278.24