NTJD4152PT1G
库存 ：86633
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.105752 | ￥6.11 |
| 10 | ￥4.759996 | ￥47.60 |
| 100 | ￥2.857244 | ￥285.72 |
| 500 | ￥2.64616 | ￥1323.08 |
| 1000 | ￥1.799328 | ￥1799.33 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 880 mA
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 272 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 3 S
上升时间 6.5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 13.5 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
NTJD4152PT1G 相关产品
NTJD4152PT1G 同类别型号
注
NTJD4152PT1G
型号：NTJD4152PT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：86633 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.105752 |
| 10+： | ￥4.759996 |
| 100+： | ￥2.857244 |
| 500+： | ￥2.64616 |
| 1000+： | ￥1.799328 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.11