
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥103.801005 | ¥103.80 |
| 10 | ¥69.993699 | ¥699.94 |
| 100 | ¥51.7323 | ¥5173.23 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 210 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 132 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB017N10N5LF SP001503850
单位重量 1.600 g
购物车
0IPB017N10N5LFATMA1
型号:IPB017N10N5LFATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥103.801005 |
| 10+: | ¥69.993699 |
| 100+: | ¥51.7323 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥103.80