2N7002DW
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.573196 | ￥1719.59 |
| 6000 | ￥0.525404 | ￥3152.42 |
| 9000 | ￥0.500844 | ￥4507.60 |
| 15000 | ￥0.473065 | ￥7095.98 |
| 21000 | ￥0.456524 | ￥9587.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.5 ns
典型接通延迟时间 5.85 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
2N7002DW 同类别型号
注
2N7002DW品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、2N7002DW
数据手册PDF。
2N7002DW
型号：2N7002DW
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.573196 |
| 6000+： | ￥0.525404 |
| 9000+： | ￥0.500844 |
| 15000+： | ￥0.473065 |
| 21000+： | ￥0.456524 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00