
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥420.975037 | ¥420.98 |
| 10 | ¥388.285537 | ¥3882.86 |
| 100 | ¥331.567201 | ¥33156.72 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 14.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 268 nC
耗散功率 1.89 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 46 ns
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar3 HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFB210N30P3
型号:IXFB210N30P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥420.975037 |
| 10+: | ¥388.285537 |
| 100+: | ¥331.567201 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥420.98