
货期:(7~10天)
起订量:50
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ¥1440.41294 | ¥72020.65 |
| 100 | ¥1339.684762 | ¥133968.48 |
| 250 | ¥1309.466309 | ¥327366.58 |
| 500 | ¥1289.320674 | ¥644660.34 |
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 GaN-on-SiC
漏极电流 24.3 mA
漏源击穿电压 125 V
工作频率 2400 MHz to 2500 MHz
输出功率 307 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 8 V
栅源极阈值电压 - 2.3 V
增益 14.9 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935389771178
单位重量 300 g
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0MRF24G300HSR5
型号:MRF24G300HSR5
品牌:NXP
供货:锐单
单价:
| 50+: | ¥1440.41294 |
| 100+: | ¥1339.684762 |
| 250+: | ¥1309.466309 |
| 500+: | ¥1289.320674 |
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