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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥2.166598 | ¥6499.79 |
6000 | ¥1.949938 | ¥11699.63 |
15000 | ¥1.805498 | ¥27082.47 |
30000 | ¥1.776611 | ¥53298.33 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V, 20 V
漏极电流 6 A, 3.4 A
漏源电阻 17 mOhms, 55 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 18.5 nC, 11.5 nC
耗散功率 1.36 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.7 ns, 12.7 ns
上升时间 9.4 ns, 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns, 20.8 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns, 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 mg
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0DMC1028UFDB-7
型号:DMC1028UFDB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥2.166598 |
6000+: | ¥1.949938 |
15000+: | ¥1.805498 |
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