
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.875466 | ¥14.88 |
| 10 | ¥13.33125 | ¥133.31 |
| 100 | ¥10.39441 | ¥1039.44 |
| 500 | ¥8.586686 | ¥4293.34 |
| 1000 | ¥7.189809 | ¥7189.81 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 8.9 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 11.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
开发套件 TPS40007EVM-001, TPS51220EVM
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 280 mg
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0CSD17310Q5A
型号:CSD17310Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.875466 |
| 10+: | ¥13.33125 |
| 100+: | ¥10.39441 |
| 500+: | ¥8.586686 |
| 1000+: | ¥7.189809 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.88