
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥194.939432 | ¥194.94 |
| 10 | ¥179.128936 | ¥1791.29 |
| 100 | ¥151.282066 | ¥15128.21 |
| 500 | ¥134.575928 | ¥67287.96 |
| 1000 | ¥126.56046 | ¥126560.46 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 360 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 525 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 160 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 47 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
购物车
0IXFK360N10T
型号:IXFK360N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥194.939432 |
| 10+: | ¥179.128936 |
| 100+: | ¥151.282066 |
| 500+: | ¥134.575928 |
| 1000+: | ¥126.56046 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥194.94