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制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 GaN-on-SiC
漏极电流 24.3 mA
漏源击穿电压 125 V
工作频率 2400 MHz to 2500 MHz
输出功率 307 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 8 V
栅源极阈值电压 - 2.3 V
增益 14.9 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935389771178
单位重量 300 g
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0MRF24G300HSR5
型号:MRF24G300HSR5
品牌:NXP
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