MUN5230DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.364318 | ￥1092.95 |
| 6000 | ￥0.316838 | ￥1901.03 |
| 15000 | ￥0.269287 | ￥4039.30 |
| 30000 | ￥0.253486 | ￥7604.58 |
| 75000 | ￥0.237611 | ￥17820.83 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 1 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 3
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 187 mW
直流电流增益（Max） 3 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 12 mg
MUN5230DW1T1G 同类别型号
注
MUN5230DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5230DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5230DW1T1G
型号：MUN5230DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.364318 |
| 6000+： | ￥0.316838 |
| 15000+： | ￥0.269287 |
| 30000+： | ￥0.253486 |
| 75000+： | ￥0.237611 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00