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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 150 mA
漏源电阻 3.7 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1.58 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.770 mg
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03LN01SS-TL-E
型号:3LN01SS-TL-E
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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