FDC6318P
库存 ：2727
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.890582 | ￥10.89 |
| 10 | ￥9.588448 | ￥95.88 |
| 100 | ￥7.35351 | ￥735.35 |
| 500 | ￥5.81273 | ￥2906.37 |
| 1000 | ￥4.650161 | ￥4650.16 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 69 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 960 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC6318P_NL
单位重量 36 mg
FDC6318P 同类别型号
注
FDC6318P品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDC6318P
数据手册PDF。
FDC6318P
型号：FDC6318P
品牌：ON
供货：锐单
库存：2727 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.890582 |
| 10+： | ￥9.588448 |
| 100+： | ￥7.35351 |
| 500+： | ￥5.81273 |
| 1000+： | ￥4.650161 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.89