货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1019.280752 | ¥1019.28 |
10 | ¥966.64421 | ¥9666.44 |
25 | ¥940.338564 | ¥23508.46 |
100 | ¥854.851518 | ¥85485.15 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 98 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4.3 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 468 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 41 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4.675 g
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0NVBG020N120SC1
型号:NVBG020N120SC1
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1019.280752 |
10+: | ¥966.64421 |
25+: | ¥940.338564 |
100+: | ¥854.851518 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥1019.28