货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.70679 | ¥13.71 |
10 | ¥11.214647 | ¥112.15 |
100 | ¥8.721257 | ¥872.13 |
500 | ¥7.392695 | ¥3696.35 |
1000 | ¥6.022016 | ¥6022.02 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 6.5 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR4105TRPBF SP001567638
单位重量 330 mg
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0IRFR4105TRPBF
型号:IRFR4105TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.70679 |
10+: | ¥11.214647 |
100+: | ¥8.721257 |
500+: | ¥7.392695 |
1000+: | ¥6.022016 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.71