NTUD3169CZT5G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 280 mA, 200 mA

漏源电阻 1.5 Ohms, 10 Ohms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 -

耗散功率 200 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 80 ns, 145 ns

正向跨导（Min） 0.48 S, 0.35 S

上升时间 25.5 ns, 46 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 142 ns, 196 ns

典型接通延迟时间 16.5 ns, 26 ns

高度 0.37 mm

长度 1 mm

宽度 0.8 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Small Signal MOSFET

单位重量 1.190 mg