SI3552DV-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3552DV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.998089 | ￥11.00 |
| 10 | ￥9.646517 | ￥96.47 |
| 100 | ￥7.392572 | ￥739.26 |
| 500 | ￥5.843563 | ￥2921.78 |
| 1000 | ￥4.674851 | ￥4674.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.8 A
漏源电阻 105 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 3.6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 7 ns
正向跨导（Min） 4.3 S, 2.4 S
上升时间 9 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3552DV-GE3
单位重量 20 mg
SI3552DV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3552DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SI3552DV-T1-GE3、查询SI3552DV-T1-GE3代理商；
SI3552DV-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI3552DV-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI3552DV-T1-GE3
替代型号
、SI3552DV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3552DV-T1-GE3
型号：SI3552DV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.998089 |
| 10+： | ￥9.646517 |
| 100+： | ￥7.392572 |
| 500+： | ￥5.843563 |
| 1000+： | ￥4.674851 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.00