货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.59212 | ¥9.59 |
10 | ¥8.413328 | ¥84.13 |
100 | ¥6.447523 | ¥644.75 |
500 | ¥5.096536 | ¥2548.27 |
1000 | ¥4.077228 | ¥4077.23 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.8 A
漏源电阻 105 mOhms, 200 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC, 3.6 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 7 ns
正向跨导(Min) 4.3 S, 2.4 S
上升时间 9 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3552DV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3552DV-T1-GE3
型号:SI3552DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.59212 |
10+: | ¥8.413328 |
100+: | ¥6.447523 |
500+: | ¥5.096536 |
1000+: | ¥4.077228 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.59