货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.870578 | ¥44.87 |
10 | ¥40.52738 | ¥405.27 |
100 | ¥33.550177 | ¥3355.02 |
500 | ¥29.215199 | ¥14607.60 |
1000 | ¥25.445523 | ¥25445.52 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 390 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 38 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0IXFH22N65X2
型号:IXFH22N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.870578 |
10+: | ¥40.52738 |
100+: | ¥33.550177 |
500+: | ¥29.215199 |
1000+: | ¥25.445523 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.87