
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.688698 | ¥36.69 |
| 10 | ¥33.137456 | ¥331.37 |
| 100 | ¥27.432503 | ¥2743.25 |
| 500 | ¥23.887983 | ¥11943.99 |
| 1000 | ¥20.805685 | ¥20805.69 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 390 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 38 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH22N65X2
型号:IXFH22N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.688698 |
| 10+: | ¥33.137456 |
| 100+: | ¥27.432503 |
| 500+: | ¥23.887983 |
| 1000+: | ¥20.805685 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.69