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数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.473793 | ¥7421.38 |
6000 | ¥2.326435 | ¥13958.61 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.7 A, 3.2 A
漏源电阻 23 mOhms, 59 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV, 1.4 V
栅极电荷 15 nC, 18 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.6 ns, 20.4 ns
上升时间 15.9 ns, 9.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 29.7 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns, 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC2041UFDB-7
型号:DMC2041UFDB-7
品牌:DIODES
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3000+: | ¥2.473793 |
6000+: | ¥2.326435 |
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