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IXFT4N100Q

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXFT4N100Q
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
渠道:
digikey

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货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1 kV

漏极电流 4 A

漏源电阻 3 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

耗散功率 150 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 18 ns

上升时间 15 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 32 ns

典型接通延迟时间 17 ns

外形参数

高度 5.1 mm

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 4.500 g

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IXFT4N100Q

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型号:IXFT4N100Q

品牌:IXYS

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