IXFH18N65X2
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- 制造商编号：
- IXFH18N65X2
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS T
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥23.1527 | ￥694.58 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
IXFH18N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFH18N65X2
数据手册PDF。
IXFH18N65X2
型号：IXFH18N65X2
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥23.1527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00