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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 6 A
漏源电阻 1.9 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 5.1 mm
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4.500 g
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0IXFT6N100Q
型号:IXFT6N100Q
品牌:IXYS
供货:锐单
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