CSD88539ND
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.05524 | ￥5138.10 |
| 5000 | ￥1.913526 | ￥9567.63 |
| 12500 | ￥1.842614 | ￥23032.67 |
| 25000 | ￥1.795394 | ￥44884.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 7.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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注
CSD88539ND品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD88539ND
型号：CSD88539ND
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.05524 |
| 5000+： | ￥1.913526 |
| 12500+： | ￥1.842614 |
| 25000+： | ￥1.795394 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00