货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥112.191167 | ¥112.19 |
10 | ¥103.081445 | ¥1030.81 |
100 | ¥87.060059 | ¥8706.01 |
500 | ¥77.445798 | ¥38722.90 |
1000 | ¥72.83309 | ¥72833.09 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 660 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 46 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH24N90P
型号:IXFH24N90P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥112.191167 |
10+: | ¥103.081445 |
100+: | ¥87.060059 |
500+: | ¥77.445798 |
1000+: | ¥72.83309 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥112.19